GUÍA COMPLETA
DE LA MEMORIA
TECNOLOGÍAS
DE MEMORIA
- Más acerca de tecnologías
de memoria
- Identificación de
módulo SIMM
- Tecnología "Refresh"
- 3.3 Voltios frente a 5 voltios
- Memoria EDO
- DRAM sincrónica
- DDR ó SDRAM II
- RDRAM (Rambus DRAM)
- Memoria Cache
Más acerca de tecnologías
de memoria
Los chips de DRAM vienen en tres formatos principales:
DIP (Dual In-line Package), SOJ (Small Outline J-lead)
y TSOP (Thin Small Outline Package). Cada uno de estos
ha sido diseñado para aplicaciones especificas.
DIP Integrated
Circuit |
|
El paquete de
DRAM estilo DIP era sumamente popular cuando
era común instalar la memoria directamente
en la placa madre de la computadora. Los
DIPs son componentes que se instalan en
agujeros que se perforan en la superficie
de la placa madre del circuito impreso.
Los componentes DIP se pueden soldar en
su lugar, o bien, se pueden instalar en
ranuras.
Los paquetes SOJ y TSOP
son componentes que se montan directamente
en la superficie de la placa madre del circuito
impreso. La popularidad de TSOP y de SOJ
aumentó con la introducción
del SIMM. De los dos, el paquete SOJ es
hasta ahora el más popular. |
SOJ DRAM paquete |
|
TSOP DRAM paquete |
|
Identificación del módulo
SIMM
Los
SIMMs, al igual que los chips de DRAM que contienen,
se especifican en términos de alto y ancho, los
cuales indican la capacidad del SIMM y si este da soporte
a la paridad. A continuación se dan unos ejemplos
de los SIMM más populares de 30 y 72 contactos.
Los SIMMs de paridad se diferencian por la especificación
de formato "x9" - "x36".
TIPO DE SIMM |
FORMATO DEL SIMM |
CAPACIDAD DEL SIMM |
30 contactos |
256 K x 8 |
256 K |
|
1 M x 8 |
1 MB |
|
4 M x 8 |
4 MB |
|
256 K x 9 (paridad) |
256 K |
|
1 M x 9 (paridad) |
1 MB |
|
4 M x 9 (paridad) |
4 MB |
72 contactos |
256 K X 32 |
1 MB |
|
1 M X 32 |
4 MB |
|
2 M X 32 |
8 MB |
|
4 M X 32 |
16 MB |
|
8 M X 32 |
32 MB |
|
256 K X 36 (paridad) |
1 MB |
|
1 M X 36 (paridad) |
4 MB |
|
2 M X 36 (paridad) |
8 MB |
|
4 M X 36 (paridad) |
16 MB |
|
8 M X 36 (paridad) |
32 MB |
Observe que los SIMMs de paridad se distinguen
por las especificaciones de formato de "x9"
ó "x36". Esto se debe a que la memoria
de paridad añade un bit de paridad a cada 8 bits
de datos, de modo que los SIMMs de 30 contactos proporcionan
8 bits de datos por ciclo, más 1 bit de paridad,
lo que equivale a 9 bits. Los SIMMs de 72 contactos
proporcionan 32 bits de datos por ciclo, más
4 bits de paridad, lo cual equivale a 36 bits.
Tecnología "Refresh"
Un módulo de memoria
se compone de células eléctricas. El proceso
de tecnología "refresh" recarga estas
células, las cuales se ordenan por filas en el
chip. La velocidad de la tecnología "refresh"
hace referencia al número de filas que se deben
regenerar.
Las dos velocidades de la tecnología
"refresh" más comunes son de 2K y 4K.
Los componentes 2K son capaces de regenerar mas células
a la vez y finalizan el proceso más rápidamente;
por lo tanto, los componentes 2K consumen mayor potencia
que los 4K.
Los componentes diseñados
específicamente para DRAM cuentan con la tecnología
de "refresh" automática, la cual hace
posible que los componentes se regeneren por sí
solos, independientemente de la CPU o de los circuitos
externos. La tecnología "refresh" automática
que está incorporada en el mismo chip de DRAM,
reduce de forma espectacular el consumo de potencia.
Se utiliza comúnmente en las computadoras portátiles
y "laptop".
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